રાષ્ટ્રીય તાઇવાન ઈન્સ્ટિટ્યૂટ Technologyફ ટેકનોલોજીએ 10 મીએ યુનાઇટેડ સ્ટેટ્સમાં આયોજિત આંતરરાષ્ટ્રીય ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકો પરિષદ (આઇઇડીએમ) માં ફેરોઇલેક્ટ્રિક મેમરી (એફઆરએએમ) અને મેગ્નેટoresરેસિટિવ રેન્ડમ એક્સેસ મેમરી (એમઆરએએમ) સહિત 6 તકનીકી કાગળોની જાહેરાત કરી. તેમાંથી, સંશોધન પરિણામો દર્શાવે છે કે ટીએસએમસી અને સેમસંગની એમઆરએએમ ટેકનોલોજીની તુલનામાં, આઇટીઆરઆઈ પાસે સ્થિર અને ઝડપી ofક્સેસના ફાયદા છે.
નેશનલ તાઇવાન ઈન્સ્ટિટ્યૂટ Technologyફ ટેકનોલોજીના ઇન્સ્ટિટ્યૂટ Electફ ઇલેક્ટ્રો-Optપ્ટિકલ સિસ્ટમ્સના ડિરેક્ટર વુ ઝિઆઈએ જણાવ્યું હતું કે 5 જી અને એઆઈ યુગના આગમન સાથે, મૂરનો કાયદો નીચે અને નીચે સંકુચિત થઈ રહ્યો છે, અર્ધવર્તીઓ વિજાતીય એકીકરણ તરફ આગળ વધી રહ્યા છે, અને આગલી પે generationીની મેમરી જે હાલના કમ્પ્યુટિંગ પ્રતિબંધોને તોડી શકે છે તે વધુ મહત્વપૂર્ણ ભૂમિકા ભજવશે. સંસ્થાની eભરતી FRAM અને એમઆરએએમ વાંચવાની અને લખવાની ગતિ પ્રખ્યાત ફ્લેશ મેમરી કરતા સેંકડો અથવા તો હજારો વખત ઝડપી છે. તે બધી બિન-અસ્થિર યાદો છે જેમાં ઓછી સ્ટેન્ડબાય વીજ વપરાશ અને ઉચ્ચ પ્રક્રિયા કાર્યક્ષમતાના ફાયદા છે. ભાવિ એપ્લિકેશન વિકાસ માટેની સંભાવના અપેક્ષિત છે.
તેમણે વધુમાં ધ્યાન દોર્યું કે એફઆરએએમનો operatingપરેટિંગ પાવર વપરાશ ખૂબ ઓછો છે, જે આઇઓટી અને પોર્ટેબલ ડિવાઇસ એપ્લિકેશન માટે યોગ્ય છે. મુખ્ય આર એન્ડ ડી વિક્રેતાઓ ટેક્સાસ ઇન્સ્ટ્રુમેન્ટ્સ અને ફુજીત્સુ છે; એમઆરએએમ ઝડપી અને વિશ્વસનીય છે, તે ક્ષેત્ર માટે યોગ્ય છે જેમ કે સ્વ-ડ્રાઇવિંગ કાર્સ જેવા ઉચ્ચ પ્રદર્શનની આવશ્યકતા છે. , મેઘ ડેટા કેન્દ્રો, વગેરે મુખ્ય વિકાસકર્તાઓ છે ટીએસએમસી, સેમસંગ, ઇન્ટેલ, જીએફ, વગેરે.
એમઆરએએમ ટેકનોલોજીના વિકાસની બાબતમાં, આઇટીઆરઆઈએ સ્પિન bitર્બિટ ટોર્ક (એસઓટી) ના પરિણામો જાહેર કર્યા, અને જાહેર કર્યું કે આ તકનીકી સફળતાપૂર્વક તેની પોતાની પાયલોટ પ્રોડક્શન વેફર ફેબમાં રજૂ થઈ છે અને વ્યાપારીકરણ તરફ આગળ વધવાનું ચાલુ રાખે છે.
આઇટીઆરઆઈએ સમજાવ્યું કે ટી.એસ.એમ.સી., સેમસંગ અને બીજી બીજી પે generationીની એમઆરએએમ ટેકનોલોજીઓની તુલનામાં જે મોટા પ્રમાણમાં ઉત્પાદિત થવાની છે, સોટ-એમઆરએએમ એ એવી રીતે કાર્ય કરે છે કે લખાણ વર્તમાનમાં ઉપકરણની ચુંબકીય ટનલિંગ લેયર સ્ટ્રક્ચરમાંથી પસાર થતું નથી. , હાલના એમઆરએએમ ઓપરેશન્સને અવગણવું. વાંચવા અને લખવાના પ્રવાહો સીધા જ ઘટકોને નુકસાન પહોંચાડે છે, અને ડેટામાં વધુ સ્થિર અને ઝડપી accessક્સેસ કરવાનો ફાયદો પણ છે.
એફઆરએએમની દ્રષ્ટિએ, હાલના એફઆરએએમ પેરોસ્કીટ સ્ફટિકોનો ઉપયોગ સામગ્રી તરીકે કરે છે, અને પેરોસ્કીટ ક્રિસ્ટલ સામગ્રીમાં જટિલ રાસાયણિક ઘટકો હોય છે, તે બનાવવાનું મુશ્કેલ છે, અને સમાયેલ તત્વો સિલિકોન ટ્રાંઝિસ્ટરમાં દખલ કરી શકે છે, આમ એફઆરએએમ ઘટકોનું કદ ઘટાડવાની મુશ્કેલીમાં વધારો કરે છે. અને ઉત્પાદન ખર્ચ. . આઇટીઆરઆઈએ સરળતાથી ઉપલબ્ધ હાફનીયમ-ઝિર્કોનિયમ roક્સાઇડ ફેરોઇલેક્ટ્રિક સામગ્રીથી સફળતાપૂર્વક બદલી, જેણે ઉત્કૃષ્ટ ઘટકોની વિશ્વસનીયતાની ચકાસણી કરી, પણ ઘટકોને દ્વિ-પરિમાણીય ત્રિ-પરિમાણીય માળખામાં આગળ વધારી, સંકોચો દર્શાવે છે. 28 નેનોમીટરથી નીચે એમ્બેડ કરેલી યાદોની સંભાવના. .
બીજા એફઆરએએમ પેપરમાં, આઇટીઆરઆઈ નોન-વોલેટાઇલ સ્ટોરેજની અસર પ્રાપ્ત કરવા માટે અનન્ય ક્વોન્ટમ ટનલિંગ ઇફેક્ટનો ઉપયોગ કરે છે. હાફનીયમ-ઝિર્કોનિયમ ideક્સાઇડ ફેરોઇલેક્ટ્રિક ટનલિંગ ઇંટરફેસ અસ્તિત્વમાં રહેલી યાદો કરતા 1,000 ગણા નીચા વર્તમાન સાથે કાર્ય કરી શકે છે. 50 નેનોસેકન્ડ્સની ઝડપી efficiencyક્સેસ કાર્યક્ષમતા અને 10 મિલિયનથી વધુ કામગીરીની ટકાઉપણું સાથે, આ ઘટકનો ઉપયોગ ભવિષ્યમાં સાચા અને કાર્યક્ષમ એ.આ. ઓપરેશન માટે માનવ મગજમાં જટિલ ન્યુરલ નેટવર્કને લાગુ કરવા માટે થઈ શકે છે.
આઇઇડીએમ અર્ધ-કંડક્ટર સેમીકન્ડક્ટર ટેકનોલોજી ઉદ્યોગની વાર્ષિક શિખર સંમેલન છે. વિશ્વના ટોચના સેમિકન્ડક્ટર અને નેનો ટેકનોલોજી નિષ્ણાતો દર વર્ષે નવીન ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકોના વિકાસના વલણની ચર્ચા કરે છે. આઇટીઆરઆઈએ અનેક મહત્વપૂર્ણ કાગળો પ્રકાશિત કર્યા છે અને તે ઉભરતા મેમરી ક્ષેત્રમાં સૌથી વધુ પ્રકાશિત થયો છે. કેટલીક સંસ્થાઓ કે જેણે કાગળો પ્રકાશિત કર્યા છે તેમાં ટીએસએમસી, ઇન્ટેલ અને સેમસંગ જેવી ટોચની સેમીકન્ડક્ટર કંપનીઓનો સમાવેશ થાય છે.